场效应管型号查询下载 场效应管的型号命名

替代IRF系列 5210 功率场效应管型号参数查询

IRF5210是P-MOS管，100V,8A,200W，IRF5210L,IRF5210S则为100V,16A,200W。

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代换型号有IRF6218，150V,27A,W。

：cc1215是一种N沟道MOS场效应管，其主要参数包括：漏极-源极电流（IDSS）、门-源电压（VGS）、漏极-源极电阻（rDS(on)）、漏极-源极电压（VDS(max)）等。

解释：cc1215是一种常用的MOS场效应管，其主要应用于信号放大、开关控制等电路中。其中，漏极-源极电流（IDSS）是指在VGS=0时，漏极-源极之间的电流大小；门-源电压（VGS）是指在漏极-源极电流已经达到值时，门-源之间的电压大小；漏极-源极电阻（rDS(on)）是指在VGS=VGS(th)时，漏极-源极之间的电阻大小；漏极-源极电压（VDS(max)）是指在保证其它参数不变的情况下，漏极-源极电压的值。

拓展：除了上述参数外，cc1215的静态工作点也是使用时需要考虑的重要参数之一。在使用cc1215时需要根据具体应用场合，选择合适的工作点，以保证其工作在合适的放大区或开关区。同时，也需要注意cc1215的静态工作点的稳定性，避免出现因工作点偏移过大而导致的不稳定现象。

CC1215是一种场效应管，其参数包括：漏极电流（IDSS）、饱和漏极电流（ID）、漏极-源极电压（VDS）、门极-源极电压（VGS）和输入电阻（Rin）等。其中，IDSS表示在VGS=0时，漏极-源极电压为值时的漏极电流；ID表示在VGS为负值时，漏极电流达到饱和时的值；VDS表示漏极-源极电压的值；VGS表示门极-源极电压；Rin表示输入电阻。

这些参数决定了CC1215场效应管的工作特性和应用范围。通过合理选择这些参数，可以使得CC1215能够适用于不同的电路和系统。例如，通过调节VGS可以控制ID，从而实现信号放大、开关控制等功能；通过调节VDS可以控制ID和输出电压，从而实现功率放大功能；通过调节Rin可以改变输入电路的阻抗，从而适配不同的信号源。

总之，了解CC1215场效应管的参数及其含义，对于工程师来说是非常重要的，可以帮助他们更好地设计和应用电路。

CC1215是一种场效应管，其主要参数如下：

1. 静态工作点参数：

- 集电极-源极电压（Vds）：额定值为20V

- 栅极-源极电压（Vgs）：额定值为±8V

- 静态漏极电流（Idss）：额定值为1.5mA

- 静态漏极电阻（Rds(on)）：额定值为15Ω

2. 动态参数：

- 输入电容（Ciss）：额定值为20pF

- 输出电容（Coss）：额定值为5pF

- 反向传输电容（Crss）：额定值为2pF

- 带宽产品（ft）：额定值为500MHz

以上是CC1215场效应管的一些主要参数，这些参数可以用于设计和分析电路中的场效应管的工作状态和性能。需要注意的是，这些参数可能会因为不同的工作条件和环境而有所变化，因此在具体应用中需要进行实际测试和验证。

Cc1215场效应管是一种N沟道结构的双极性晶体管，具有低噪声、低电压、高放大系数等特性，广泛应用于放大器、电压比较器、振荡器等电路中。它的主要参数包括电压容忍度、漏电流、电压、电流、输入电容等。其中最重要的参数是输入导纳，通常用单位毫西门子（mS）来标示。在实际应用过程中，需要根据具体电路要求，选择不同参数的Cc1215场效应管，以达到的电路性能。

针对这个问题，我们可以先来了解一下cc1215场效应管参数。cc1215场效应管是一种小功率场效应管，它的特点是体积小、功耗低、噪声小、稳定性高，可以用于各种电子设备中。它的参数包括：输入电压、输出电压、输入电流、输出电流、输入阻抗、输出阻抗、增益、噪声等。

要正确设置cc1215场效应管参数，首先要确定输入电压、输出电压、输入电流、输出电流、输入阻抗、输出阻抗等参数，然后根据实际情况调整增益和噪声，以达到效果。此外，还要注意场效应管的温度，如果温度过高，可能会导致场效应管参数发生变化，从而影响系统的性能。因此，在设置cc1215场效应管参数时，应注意温度控制，以保证系统的稳定性。

cc1215是一种常见的场效应管型号，它有着良好的高频特性及低噪声等特点，是电子工程领域中广泛应用的一种晶体管。cc1215的主要参数有：截止电压、工作电流、功率、单位面积漏电流和导通电阻等。其中，截止电压是指场效应管导通的最小电压，工作电流则是指场效应管在高频工作条件下的电流，功率则是指场效应管能够承受的功率。单位面积漏电流是指场效应管静态漏电流密度，导通电阻则是指场效应管导通时的电阻特性。熟悉cc1215场效应管的参数对于设计和应用具有很重要的意义。

CC1215场效应管是N沟道MOSFET管型号，其主要参数有：1. Vds（漏极-源极电压），额定电压为60V，若电压过大会导致管子损坏，因为场效应管的栅极和漏极之间没有二极管，过压会导致PN结击穿，使其失去控制。2. Id（沟道电流），定电流为6A，在实际使用中，需要根据所连接的电路设计合适的电流大小，防止过载损坏管子。3. Rds(on)（导通状态下的漏极-源极阻抗），该值越小表示其在导通状态下的损耗越小，工作效率越高。CC1215管的典型额定值为0.085欧姆，越小越好。总之，选择CC1215场效应管时需要注意其额定电压、电流值和导通状态下的阻抗，根据具体电路设计进行选择。

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MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管型号和增强型的P沟道MOS管型号，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。在MOS管原理图上可以看到，漏较和源较之间有一个寄生二较管。这个叫体二较管，在驱动感性负载，这个二较管很重要。顺便说一句，体二较管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制构成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但理论应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类

IRF5210是P-MOS管，100V,8A,200W，IRF5210L,IRF5210S则为100V,16A,200W。

代换型号有IRF6218，150V,27A,W。

60A 60V W N沟道场效应管有哪些型号，只需报一下型号，给你采纳？

STP60NF06 场效应管TO-220封装，

NCE6060 场效应管 直插TO-220封装，

NCE6060K 场效应管 贴片TO-252封装，

NCEP6060AGU场效应管 DFN56 封装，

AP9972GP-HF 场效应管TO-220封装，

SSF6014 场效应管TO-220封装，

FQP60N06 场效应管TO-220封装，

UTT60N06L-TN3场效应管TO-252封装，

EMB60N06A 场效应管TO-252封装，

以上场效应管，都是N沟道MOS场效应管，参数都是60V 60A，型号不同，封装形式不同。

d450场效应管参数有型号为D450，类型是N沟道场效应管，耗散功率为500W，漏极电流为22A，漏极和源极电压为500V，封装为TO-240AA。根据查询相关息显示，场效应晶体管主要有两种类型。结型场效应管和金属氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

场效应管怎么来看型号！

按照每个公司命名不同.当然信号就不同..你可以把

你知道的参数在百度上搜索.就可以查到对应的参数种与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型...