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SSD固态硬盘是TLC好还是qlc好呢?

SSD固态硬盘是TLC好还是qlc好啊?

qlc和tlc哪个好:

SSD固态硬盘是TLC好还是qlc好呢?SSD固态硬盘是TLC好还是qlc好呢?


qlc好

原因如下:

qlc:可以叫4bit MLC,电压有16种变化,但是容量能增加33%,就是写入性能、P/E寿命与TLC相比会进一步降低。具体的性能测试上,美光有做过实验。读取速度方面,SATA接口中的二者都可以达到540MB/S,qlc表现在写入速度上。

tlc:每个cell单元存储3bit信息,电压从000到001有8种变化,容量比MLC再次增加1/3,成本更低,但是架构更复杂,P/E编程时间长,写入速度慢,P/E寿命也降至1000-3000次,部分情况会更低。寿命短只是相对而言的,通常来讲,经过重度测试的tlc颗粒正常使用5年以上是没有问题的。

qlc由于单位存储密度更大,是tlc的两倍,所以其电压更难控制,从而影响到性能以及稳定性;而Intel 660P采用qlc闪存的写入总数据量大约为100TBW,只是同样容量西部数据SN500采用tlc闪存的三分之一左右,因而我们也能够对比出qlc寿命相较于tlc会低很多。

mlc qlc tlc的区别

tlc qlc mlc的区别:

1、结构不同

mlc是双层,tlc是三层,qlc是四层。

2、单个cell存储数据量不同

mlc为2bit,tlc为3bit,qlc为4bit。

3、理论擦写次数不同

mlc是3000-10000,tlc是500-1000,qlc是150。

特点

SLC的特点是成本高、容量小、速度快,而MLC的特点是容量大成本低,但是速度慢。MLC的每个单元是2bit的,相对SLC来说整整多了一倍。

不过,由于每个MLC存储单元中存放的资料较多,结构相对复杂,出错的几率会增加,必须进行错误修正,这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存。

此外,SLC闪存的优点是复写次数高达100000次,比MLC闪存高10倍。此外,为了保证MLC的寿命,控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法,使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊,达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。

如何看待QLC颗粒的固态硬盘?

QLC是好的技术,但目前的新技术的成本优势没有很好反馈到我们消费者身上,QLC SSD现在还是太贵了。

其实从历史的角度讲,闪存颗粒从SLC到QLC,是科技的进步,让厂商们能用同样的晶圆制造出更大容量的SSD,让SSD的制造成本和售价降低,还记得当年SSD刚出来是一个120GB的都七八百,现在只要100多块钱了,也让SSD走进了千家万户,许多如今装机都是采用纯固态的装机方案的小伙伴可能无法想象当时我们要怎么挤预算才能给主机加一块固态的窘境。

而价格更划算,性价比更高,但有技术缺陷的QLC固态,在未来的目标应该是取代机械硬盘,它与TLC固态不是一个竞争的关系,而是互相弥补的关系,未来一个标准的装机方案可能就是NVMe TLC SSD用作系统盘,然后购买大容量QLC SSD当作仓库盘。

我们出这期内容的原因是想让大家不要排斥QLC SSD,但也不是建议大家去买QLC SSD,因为一个SSD值不值得买终究还是看价格,只要够便宜,就是真香。

固态硬盘哪种颗粒?

基于闪存的固态硬盘(IDEFLASH DISK、Serial ATA Flash Disk):采用FLASH芯片作为存储介质,这也是通常所说的SSD。它的外观可以被制作成多种模样,例如:笔记本硬盘、微硬盘、存储卡、U盘等样式。这种SSD固态硬盘的优点就是可以移动,而且数据保护不受电源控制,能适应于各种环境,适合于个人用户使用。寿命较长,根据不同的闪存介质有所不同。SLC闪存普遍达到上万次的PE,MLC可达到3000次以上,TLC也达到了1000次左右,的QLC也能确保300次的寿命,普通用户一年的写入量不超过硬盘的50倍总尺寸,即便廉价的QLC闪存,也能提供6年的写入寿命。可靠性很高,高品质的家用固态硬盘可轻松达到普通家用机械硬盘十分之一的故障率。

qlc和tlc和mlc有什么区别?

由于闪存颗粒中存储密度存在异,所以闪存又分为SLC、MLC、TLC和QLC。简单的说,NAND闪存的基本原理,QLC容量大,但性能也变了。

SLC:每个Cell单元存储1bit信息,也就是只有0、1两种电压变化,结构简单,电压控制也快速,反映出来的特点就是寿命长,性能强,P/E寿命在1万到10万次之间,但缺点就是容量低而成本高,毕竟一个Cell单元只能存储1bit信息。

MLC:每个cell单元存储2bit信息,需要更复杂的电压控制,有00,01,10,11四种变化,这也意味着写入性能、可靠性能降低了。其P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等。

TLC:每个cell单元存储3bit信息,电压从000到001有8种变化,容量比MLC再次增加1/3,成本更低,但是架构更复杂,P/E编程时间长,写入速度慢,P/E寿命也降至1000-3000次,部分情况会更低。寿命短只是相对而言的,通常来讲,经过重度测试的TLC颗粒正常使用5年以上是没有问题的。

QLC或者可以叫4bit MLC,电压有16种变化,但是容量能增加33%,就是写入性能、P/E寿命与TLC相比会进一步降低。具体的性能测试上,美光有做过实验。读取速度方面,SATA接口中的二者都可以达到540MB/S,QLC表现在写入速度上。

因为其P/E编程时间就比MLC、TLC更长,速度更慢,连续写入速度从520MB/s降至360MB/s,随机性能更是从9500 IOPS降至5000 IOPS,损失将近一半。

分类

按种类分

U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe闪存卡。

按品牌分

矽统(SIS)、金士顿、索尼、LSI、闪迪、Kingmax、鹰泰、创见、爱国者、纽曼、威刚、联想、台电、微星、SSK、三星、海力士。

以上内容参考:

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