太阳能电池的制备流程是什么样的？
真空镀膜(Vacuum coater): 采用溅射法（Sputter）将Mo喷射在基底上；然后是CIG先驱膜（precursor）;硒化反应器 (selenization reactor): 在高温真空环境下使Se蒸汽与precursor反应生成CIGS吸光层；化学沉积(CBD), 通过CBD方法沉积CdS缓冲膜;透明氧化膜(TCO), 设备基本跟1中的真空镀膜设备一样，采用真空溅射法进行ZnO:Al的镀膜；
第二代太阳能电池代表 第二代太阳能电池的特点
第二代太阳能电池代表 第二代太阳能电池的特点
太阳能电池的发展已经进入了第三代．代为单晶硅太阳能电池，第二代为多晶硅、非晶硅等太阳能电池，第
（1）铜是29号元素，铜原子失去一个电子变成亚铜离子，所以亚铜离子核外有28个电子，基态铜离子（Cu+）的价电子排布式为：3d10，故为：3d10；
，设正四面体的边长为x，CE的长为0.5x，BE=x2?(0.5x)2=32x，BO与OE的长之比为2：1，则BO的长为32x×23=33x，在三角形ABO中，AO的长=x2?(
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